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型号 SI2335DS-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH SOT23
SI2335DS-T1-E3 PDF
代理商 SI2335DS-T1-E3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 51 毫欧 @ 4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1225pF @ 6V
功率 - 最大 750mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3（TO-236）
包装 带卷 (TR)
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